Web【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング … Web・ポリマー合成から塗料配合までの一貫開発・生産 ・テクニカルサービス：評価・分析、加工指導などでユーザーサポート充実 主な機能 離型性・非粘着性、耐熱性、耐薬品性、耐食性、低摩耗性 詳しく見る pbHeight

FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）

Web次にsin膜について、エッチングレートはsio2膜の結果と同等 の傾向が得られた。chf3では極端なレート低下がみられた。そ の要因として、h成分がsin膜エッチングを阻害した可能性と、 ch成分によるデポ効果によるエッチングの阻害の可能性が考えら れる。 Webシリコンのエッチング方法. 【課題】シリコンとシリコン窒化物とを有する被処理物においてシリコンを選択的にエッチングする。. 【解決手段】酸化性エッチャント生成部20でオゾン等の酸化性反応ガスを生成する。. フッ素含有ガスのCH 4 と水分と ... scotts tracksuit

半導体のドライエッチング 処理に用いるガス CHF3

Web212 Sung Ku Kwon et al. ETRI Journal, Volume 24, Number 3, June 2002 predictions and actual measurements. As an alternative, some studies have adopted adaptive learning techniques which use neural networks combined with statistical experimental designs http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2007_04/jspf2007_04-319.pdf Web離生成物と被エッチング物質の化学反応性と反応 生成物の揮発性(蒸 気圧の高さ)に より選択され る0し かし,rieに おいても,ar,heな どの不 活性ガスは希釈ガスとして重要な役 … scotts trader